Оптическое измерение диффузионной длины и скорости поверхностной рекомбинации электронов в слоях $p$-GaAs

Выполнен комплекс измерений кинетических параметров неравновесных электронов в слоях $p$-GaAs с использованием высокочастотной модуляции поляризации и интенсивности люминесценции фотоупругим кварцевым модулятором. При этом параметры, характеризующие пространственное распределение электронов в слое, определялись по зависимости отношения интенсивностей люминесценции в геометрии «на просвет» и «на отражение» от длины волны, а временные характеристики рекомбинации на поверхности и в объеме кристалла — по поляризации люминесценции в условиях оптической ориентации электронных спинов.