К теории стационарных состояний приповерхностного слоя ионных кристаллов

В ионном кристалле приповерхностный слой в стационарных ситуациях описывается распределениями с несколькими характерными параметрами. Если число параметров равно числу типов точечных дефектов, то при любых условиях на поверхности кристалл способен достигнуть стационарного состояния, сохранив объем в равновесии. Достижение такого состояния всегда возможно при движении внешней поверхности в направлении, соответствующем испарению, растворению и т. д., и затруднено при росте кристалла.