Особенности тонкой структуры спектров валентных электронов стекловидного углерода

Методами фотоэлектронной и эмиссионной рентгеновской спектроскопии изучены спектры валентных электронов образцов стекловидного углерода, отличающихся степенью упорядочения кристаллической структуры. Полученные результаты показывают, что термическая обработка образцов выше $2000^{\circ}$C способствует образованию в стекловидном углероде межслоевых дефектов, которые представляют собой прикрепленные к слоям углеродные атомы и препятствуют превращению материала в графит даже при значительном тепловом воздействии.