Об электронных состояниях со спином ${S\geqslant 1}$ на дислокациях в кремнии

Показано, что в кристаллах кремния с дислокациями кинетика восстановления линий тонкой структуры спектра ЭПР, отвечающего связанным спинам на дислокациях идентична кинетике восстановления темнового спектра ЭПР дислокационных оборванных связей (ДОС) после выключения освещения кристалла. Она носит «барьерный» характер и контролируется захватом дырок на уровень ДОС. Тонкая структура дислокационного спектра ЭПР определяется дефектной структурой дислокаций, которая существенно зависит от режима их введения в кристаллы.