Аннигиляция позитронов в дефектных кристаллах Ga$_{2}$S$_{3}$(Se$_{3}$), легированных переходными и редкоземельными элементами

Приводятся результаты измерений углового распределения аннигиляционных квантов (УРАГК) и спектра времени жизни позитронов в дефектных соединениях Ga$_{2}$S$_{3}$ и Ga$_{2}$Se$_{3}$, легированных переходными и редкоземельными элементами. Установлено, что легирование приводит к существенному изменению параметров спектров УРАГК и времени жизни позитронов. На основе полученных экспериментальных данных вычислена концентрация центров захватывающих позитронов, которая составляет $(0.7{-}0.9)\cdot 10^{18}$ см$^{-3}$.