Свойства размерно-квантованных дырок в аккумулирующем слое на поверхности (10$\overline{1}$0) теллура

Исследовано поведение компонент тензора проводимости $\sigma_{xx}$ и $\sigma_{xy}$ двумерных (2D) носителей заряда (дырок) в аккумулирующем слое (АС) на поверхности (10$\overline{1}$0) Te при гелиевых температурах в сильных магнитных полях до 10 Т (стационарный режим) и до 32 Т (импульсный режим). Обнаружены осцилляции $\sigma_{xx}(B)$ и $\sigma_{xy}(B)$ типа Шубникова$-$де Гааза (ШГ), обусловленные квантованием в магнитном поле спектра $2D$-дырок. Анализ показал, что в АС существуют две размерно-квантованные подзоны с концентрациями $0.5\cdot 10^{12}$ и $4\cdot 10^{12}$ см$^{-2}$ и энергиями Ферми 3.2 и 44 мэВ соответственно. В первой из них обнаружено квантовомеханическое явление внутризонного магнитного пробоя, свидетельствующее о реализации гантелеобразных фермиевских траекторий для двумерных носителей. Определены параметры 2D-дырок в обеих подзонах. Отмечена сильная анизотропия спектра 2D-носителей заряда на различных кристаллографических поверхностях Te.