Исследование влияния низкотемпературного отжига на параметры структуры ювенильных поверхностей монокристаллов CsDSO$_{4}$ и CsH$_{2}$PO$_{4}$ методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии

Методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследованы чистые сколы поверхности сегнетоэластических монокристаллов CsDSO$_{4}$ и сегнетоэлектриков CsH$_{2}$PO$_{4}$ сразу после выкалывания, через несколько дней пребывания в атмосфера обезвоженного азота и после низкотемпературного отжига при 80$^{\circ}$C. Показано, что кристаллы являются достаточно совершенными с плотностью дислокаций в приповерхностных областях в интервале $8\cdot 10^{4}{-}3\cdot 10^{5}$ см$^{-2}$, которая для CsDSO$_{4}$ зависит от времени вылеживания и процедуры отжига. В приповерхностных слоях неотожженных кристаллов CsDSO$_{4}$ зафиксирована значительная отрицательная деформация $\Delta d/d\approx -10^{-3}$. Обнаружено, что при отжиге в течение 2 ч при 80$^{\circ}$С параметры структуры тонких приповерхностных слоев кристаллов CsDSO$_{4}$ стабилизируются и деформация исчезает. Подобных явлений для монокристаллов CsH$_{2}$PO$_{4}$ не наблюдается.