Стимулированное излучение в слоистых полупроводниках InSe и GaSe

Исследованы спектры стимулированного излучения слоистых полупроводников GaSe и InSe. В спектрах стимулированного излучения InSe обнаружена новая линия, обусловленная процессами усиления света в электронно-дырочной жидкости. Полученные результаты интерпретируются на основе новых моделей зонной структуры InSe и GaSe.