Фотоиндуцированные токи в кристаллах суперионного проводника RbAg$_{4}$I$_{5}$

Изучены спектральные и температурные характеристики тока, возникающего при освещении приконтактной области кристаллов RbAg$_{4}$I$_{5}$. Предложен механизм возникновения фотоиндуцированного тока. Зависимость величины тока от области освещения образца использована для анализа неоднородности распределения дефектов в кристаллах RbAg$_{4}$I$_{5}$ и процессов на границе электронный проводник$-$суперионный проводник.