Применение метода внутреннего трения для исследования дефектов в легированных Cr и Al монокристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$

Исследованы температурные зависимости внутреннего трения и диэлектрических свойств чистых и легированных Cr и Al, а также отожженных в вакууме монокристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$. Обнаружен ряд аномалий акустических потерь и соответствующих им особенностей в диэлектрических характеристиках. Полученные результаты обсуждаются в рамках теории Хатсона$-$Уайта и теории релаксации дефектов в поле упругих напряжений. Предлагаются модели дефектных центров, ответственных за наблюдаемые и ранее известные аномалии затухания звука в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$.