Аннотация:
Рассмотрен метод определения зарядового состояния дефекта, занимающего мешдоузельную позицию в кристаллической решетке кремния. В основу метода положено представление о подобии параметров центров, волновая функция которых формируется главным образом из состояний валентной зоны кристалла. Обсуждается возможность использования в качестве такого спинового маркера примесных ионов марганца, занимающих междоузельную позицию в кристаллической решетке кремния.