Теория рекомбинационно-стимулированных атомных скачков в неметаллических кристаллах

Проанализированы механизмы перескоков атомов в кристаллах между соседними положениями равновесия, происходящие в процессе захвата свободного носителя заряда на локальный уровень атома, совершившего скачок, или вакансии, образующейся при перескоке. Если перескоки совершаются между эквивалентными положениями атома, они приводят к рекомбинационно-стимулированной диффузии, если между неэквивалентными - к образованию или перестройке дефектов, стимулированным захватом электрона. Так как при атомном скачке должна сохраняться полная энергия системы атом + фононы + электрон (дырка), то захватываемый носитель заряда имеет начальную энергию, существенно выше средней энергии носителя в зоне.
Рассмотрено возбуждение электронной подсистемы в результате действия света и показано, что такое возбуждение может увеличить эффективность перескоков на несколько порядков величины.