Формирование треков тяжелых многозарядных ионов на чистой и заселенной островками золота поверхности диэлектрика

Методами электронной микроскопии сопоставлена структура треков ионов ${}^{132}_{54}$Xe с энергией ${\cong 1}$ МэВ/нукл., созданных на чистой поверхности монокристалла гипса (CaSO$_{4}\cdot $2H$_{2}$O) и поверхности с напыленной в вакууме перед облучением островковой пленкой золота со средним радиусом островков ${R_{1}\simeq5}$ нм либо ${R_{2}\simeq10}$ нм. Угол облучения ${\simeq 1^{\circ}}$. Обсуждены механизмы формирования треков, основанные на эмиссии $\delta$-электронов и взаимодействии с поверхностью ударной волны, возбужденной при пролете иона в приповерхностном слое гипса.