Аннотация:
Исследованы при ${T=4.2}$ K спектрально-времены́е характеристики полосы фотолюминесценции, наведенной обработкой поверхности кристаллов CdS щелочным электролитом. Показано, что указанная полоса связана с туннельной излучательной рекомбинацией электронов и дырок, локализованных флуктуациями потенциала в приповерхностной области кристалла.