Роль глубоких центров в динамике зарядов и полей в фоторефрактивных кристаллах силленитов

Установлена существенная зависимость характера экранирования внешнего поля и накопления объемного заряда от степени заполнения уровней глубоких ловушек для электронов. Заполнение ловушек варьируется с помощью предварительной засветки. Координатное распределение поля измеряется с помощью поперечного электрооптического эффекта. На основе модели энергетического спектра дано теоретическое описание динамики поля и заряда, находящееся в хорошем согласии с опытом в широком диапазоне заполнений центров. Показано, что по мере заполнения уровней глубоких ловушек происходит возрастание длины дрейфа (и темпа фотогенерации) электронов, подтверждающееся независимыми измерениями времени жизни электронов; найдена подвижность фотоэлектронов, оценена концентрация глубоких ловушек. С помощью полученных данных обсуждается ряд фотоэлектрических явлений в силленитах и особенности записи оптической информации в фоторефрактивных кристаллах.