Люминесценция $F^{+}_{2}$ и $F_{2}$ центров при импульсном электронном возбуждении

Методами импульсной спектрометрии с временны́м разрешением исследованы процессы создания и разрушения $F_{2}^{+}$ и $F_{2}$ центров во временно́м интервале $10^{-8}{-}10^{2}$ с после действия импульса электронов наносекундной длительности на кристалл LiF с предварительно наведенными центрами окраски. На основании проведенных исследований делается вывод об образовании $F_{2}^{+}$ центров в излучательном состоянии при локализации зонных и автолокализованных дырок на $F_{2}$ центрах.
Доказано, что излучательное синглетное состояние $F_{2}$ центра возникает в процессе локализации зонного электрона на $F_{2}^{+}$ центре и дырки на $F_{2}^{-}$ центре. Предложен метод температурного тушения синглетной радиолюминесценции, в основе которого лежит термоактивируемый переход $F_{2}$ центра в триплетное состояние из более высоколежащего уровня, чем излучательный синглетный.