Низкотемпературная сверхлюминесценция слабо легированных кристаллов $n$-InSb, связанная с оптимальными флуктуациями примесного потенциала

Исследованы свойства основной линии люминесценции слабо легированных кристаллов $n$-InSb в широкой области интенсивностей оптического возбуждения (диапазон изменения около четырех порядков величины) при температуре $\simeq2$ K. Прямым методом, основанным на измерениях зависимости вида спектра люминесценции от длины возбужденной области образца, показано, что линия излучения, возгорающаяся при интенсивной накачке на длинноволновом крыле основной линии, является линией сверхлюминесценции. Полученная из экспериментальных данных величина коэффициента усиления рекомбинационного излучения составляла $\simeq 10$ см$^{-1}$ при плотности возбуждения $\sim 10^{21}$ квант/см$^{2}\cdot$ с.