Аннотация:
Методом фотопроводимости исследованы центры марганца в кремнии. Обнаружены взаимосвязанные эффекты тушения и регенерации фотопроводимости, обусловленные долговременными процессами перезарядки дефекта, сопровождающимися его туннелированием между позициями разной симметрии в решетке кремния. Показано, что динамика тушения и регенерации фотопроводимости изменяется в условиях эффекта Штарка на глубоком центре, индуцированного внешним электрическим полем.