Механизм образования гетерофазной структуры в области сегнетоэлектрического фазового перехода в кристалле DKDP

Рассмотрены механизм образования и условия существования гетерофазной слоистой структуры, наблюдавшейся в области сегнетоэлектрического фазового перехода 1-го рода для кристалла DKDP. Полученные из условия минимума свободной энергии кристалла значения периода слоистой структуры соответствовали экспериментальным значениям при допущении, что толщина стенки между сегнето- и параэлектрическими слоями была порядка 560 Å. Показано, что образования гетерофазной структуры можно ожидать у тех кристаллов группы KDP, которые имеют достаточно большие значения температурного гистерезиса и скачков спонтанной поляризации и деформации. Причиной отсутствия гетероструктуры в образцах CDA и DCDA при исследовании их методами синхротронной рентгеновской топографии предполагается воздействие на них мощной дозы синхротронного излучения, приводящее к сдвигу фазового перехода в область переходов 2-го рода.