Аннотация:
Изложены результаты исследований кинетики релаксации $F^{+}_{2}$ центров после воздействия импульса радиации на кристалл LiF с предварительно накопленными в нем центрами окраски. Изучена зависимость кинетики релаксации и ее стадий от температуры образца при облучении, плотности энергии импульса радиации, исходной дефектности. Установлены количественные связи между параметрами кинетики и перечисленными факторами. Построена математическая модель для описания кинетики релаксации $F_{2}^{+}$ центров после воздействия импульса радиации.
Поступила в редакцию: 27.05.1991 Исправленный вариант: 14.11.1991