Особенности гиперрелеевского рассеяния света в слабополярном сегнетоэлектрике Li$_{2}$Ga$_{7}$O$_{15}$

Проведены исследования температурной зависимости интенсивности гиперрелеевского рассеяния света (ГРР) в полидоменных кристаллах Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$. Получены данные о температурной зависимости доменной структуры в чистых и легированных ионами кристаллах Si и Na. При исследовании $90^{\circ}$ ГРР обнаружены аномальные максимумы интенсивности при ${T=173}$ K и ${T=T_{c}}$, которые связываются с особенностями сегнетоэлектрического перехода. Резкий $\lambda$-образный максимум гиперопалесценции в геометрии $b\,(cc)\,a$ при $T_{c}$ интерпретирован как результат критического проведения центрального пика.