Длинноволновый сдвиг края усиления в полупроводниковых гетеролазерах

Исследован механизм возникновения генерации электромагнитного излучения в полупроводниковом гетеролазере на основе прямозонных полупроводников с инжекционным механизмом возбуждения. Показано, что в прямозонных полупроводниках возможен новый механизм генерации излучения с энергией меньшей ширины запрещенной зоны с участием оптических фононов. Вычислен коэффициент усиления для таких переходов и проведено сравнение с результатами экспериментальных исследований.