Проявление зонной структуры кремния в низкоэнергетических спектрах полного тока поверхностей (100) и (111)

Получены спектры полного тока атомно-чистых поверхностей Si(100) и Si(111). На основе энергетических зонных расчетов дана теоретическая интерпретация тонкой структуры этих спектров при учете конечной ширины электронных уровней. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в спектрах полного тока от поверхностных.