Аннотация:
Обсуждается возможность получения многослойных структур Со/Си с ультратонкими (менее 2$-$1 нм) слоями методом импульсного электролитического осаждения из одного электролита. На основе проведенных электронно-микроскопических, а также рентгено- и электронографических исследований анализируется строение указанных покрытий.