Высокотемпературная пластическая деформация и люминесцентные свойства GaAs

При изучении методом фотолюминесценции влияния высокотемпературной (${T=800{-}1100}^{\circ}$C) пластической деформации на свойства сильно легированных кристаллов $n$-GaAs(Sn) впервые обнаружен при повышении температуры деформации эффект деформационно-стимулированного распада сложных комплексов. Указанное обусловлено уменьшением концентрации комплексов типа примесь$-$собственный дефект, представляющих собой центры излучательной рекомбинации, вследствие их взаимодействия с упругими полями напряжений дислокаций.