Эффект Онзагера в люминесценции кристаллов Al$_{2}$O$_{3}$ II. Излучательная аннигиляция автолокализованных экситонов

Исследовано влияние внешнего электрического поля напряженностью до $5\cdot10^{4}\,\text{В}\,\cdot\,\text{см}^{-1}$ на люминесценцию кристаллов Al$_{2}$O$_{3}$ в экситонных полосах излучения с максимумами при 3.8 и 7.5 эВ. При температурах ниже 200$-$220 K обнаружено электростимулированное преобразование одного типа автолокализованных экситонов в другой. Установлено, что уменьшение интенсивности экситонной люминесценции под действием поля обусловлено эффектом Онзагера, т. е. перераспределением вероятности парной рекомбинации носителей в пользу рекомбинации на центрах свечения.