К вопросу о туннелировании сквозь промежуточный (19$-$50 Å) окисный слой кремниевой ПТДП структуры

Исследованы при прямом внешнем смещении туннельные характеристики $p^{+}$-Si$^{*}-$SiO$_{x-p\text{-Si}}$ структур с термически выращенным при ${T=700^{\circ}}$C окислом. Анализ туннельных и эллипсометрических характеристик показал, что уменьшение тока через структуру обусловлено уменьшением туннельной прозрачности барьера для дырок. При этом для окислов, соответствующих временам окисления от 1 до 5 мин, уменьшение туннельной прозрачности обусловлено не увеличением толщины окисла, а ростом туннельного барьера для дырок при уменьшении избытка недоокисленного кремния в окисле. Для окислов, соответствующих временам окисления от 10 до 60 мин, уменьшение туннельной прозрачности обусловлено как непосредственно увеличением толщины окисла, так и небольшим ростом величины туннельного барьера для дырок. При ${d>28\div34}$ Å показатель преломления окисла соответствует показателю преломления стехиометрического SiO$_{2}$.