Рассеяние света инверсионным слоем полупроводника в МДП структуре

Получена зависимость сечения рассеяния от частоты вторичного излучения $\omega_{s}$. Приведены результаты численного расчета сечения для параметров GaAs; сравнение с рассеянием в объеме указывает на возможность экспериментального наблюдения эффекта.