Реакции, сопровождающие низкотемпературную адсорбцию молекул N$_{2}$ и H$_{2}$O на поверхности кристалла Si

Проведены исследования взаимодействий, сопровождающих адсорбцию молекул Н$_{2}$О и N$_{2}$ на поверхности монокристаллического Si. На основании анализа ИК-спектров пропускания делается заключение об образовании радикалов NH, NH$_{2}$ при 90$-$100 K, связанных межмолекулярной водородной связью, а также ионов H$_{2}^{-}$, NO$^{+}$. Реакции с образованием последних протекают интенсивнее с повышением температуры. Нагрев образца до ${-10^{\circ}\text{C}\leqslant T\leqslant+10^{\circ}\text{C}}$ приводит к исчезновению из спектра Si поглощения в поверхностном слое, что объясняется десорбцией.