Инвертированное распределение носителей по энергиям при протекании тока вдоль субмикронного полупроводникового слоя

Показано, что в полупроводниковых субмикронных пленках с обедненными приповерхностными слоями может реализоваться инвертированное распределение электронов по энергиям при протекании тока вдоль проводящего слоя и в условиях квазиупругого рассеяния носителей. Сформулированы общие критерии нарушения максвелловского вида симметричной части функции распределения электронов в тонких образцах.
В массивном полупроводнике, находящемся в постоянном электрическом поле $E_{0}$, функция распределения (ФР) электронов существенно зависит от механизмов рассеяния носителей и интенсивности межэлектронного взаимодействия. Эта зависимость определяется главным образом соотношениями между частотами рассеяния импульса и энергии $\nu(\varepsilon)$, $\tilde{\nu}(\varepsilon)$ и частотой электрон-электронных столкновений $\nu^{}_{ee}(\varepsilon)$, где $\varepsilon$ — энергия электронов. Если, как это имеет место в большинстве случаев, ${\nu\gg\tilde{\nu}}$, то рассеяние носит квазиупругий характер и анизотропия ФР мала [1].