Оптическое усиление в квантовых сверхрешетках GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

В широком интервале интенсивностей возбуждения исследованы спектры спонтанного и стимулированного излучения сверхрешетки GaAs/Al$_{0.33}$Ga$_{0.65}$As, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассчитаны спектры коэффициента оптического усиления в зависимости от плотности накачки в области нелинейных эффектов. Из анализа формы спектра оптического усиления с учетом эффекта растекания определен ряд параметров двумерной электронно-дырочной плазмы: концентрация неравновесных носителей, их перегрев, а также дрейфовая скорость носителей заряда, возникающая вследствие наличия фермиевского давления.