Взаимодействие ультраузких линий излучения с оптическими и акустическими фононами в кристалле TlGaS$_{2}$

На основании исследований температурной зависимости (1.8$-$77 K) линий излучения кристалла TlGaS$_{2}$, обусловленных излучательными переходами между электронными уровнями дефекта решетки, эффективно возбуждаемых через экситонный механизм, в диапазоне энергий 2.035$-$2.038 эВ обнаружено их взаимодействие с оптическими и акустическими фононами.