Сульфидная пассивация полупроводников A$^{3}$B$^{5}$: модельные представления и эксперимент

Предложена модель пассивации поверхности полупроводников А$^{3}$В$^{5}$ в сульфидосодержащих растворах. Модель основана на том, что пассивация происходит в процессе окислительно-восстановительной реакции образования серосодержащего покрытия на поверхности полупроводника, в результате которой полупроводник теряет электроны, что приводит к изменению величины приповерхностного электрического поля. Скорость этой реакции зависит от активности ионов серы в растворе, а также от типа проводимости, уровня легирования и высоты приповерхностного потенциального барьера полупроводника. Модель находится в хорошем согласии с имеющимися экспериментальными данными по пассивации арсенида галлия в растворах сульфида натрия.