Спектры связанных экситонов и радиационная стойкость кристаллов CdS и CdSe

При ${T=4.2}$ K исследованы оптические спектры связанных экситонно-примесных комплексов (ЭПК) в кристаллах CdS и CdSe, подвергнутых электронной бомбардировке (ЭБ) электронами энергии 3.5 кэВ и отжигу при комнатной температуре. Обнаружен эффект повышенной устойчивости к воздействию ЭБ кристаллов, содержащих в спектрах ЭПК линию $I_{1}$ экситона, связанного на нейтральном акцепторе. Он объясняется подавлением в таких кристаллах вакансионного механизма диффузии междоузельных компонент пар Френкеля и, как следствие, преобладанием в них отжига допороговых дефектов в процессах их преобразования под влиянием ЭБ и термического отжига. Обсуждается природа особенностей, наведенных отжигом в спектрах ЭПК кристаллов, не обладающих линией $I_{1}$. Предполагается, что эти особенности обусловлены процессами, вызванными термостимулированной миграцией радиационных дефектов. Спектры ЭПК в кристаллах Cd и CdSe можно использовать в качестве инструмента для исследования процессов образования и миграции радиационных дефектов в этих соединениях. Они могут быть использованы также в качестве неразрушающегося бесконтактного метода оценки их радиационной стойкости.