Аннотация:
Исследованиями температурной зависимости диэлектрической проницаемости слоистых кристаллов TlInS$_{2}$ из различных технологических партий, воздействия одноосных сжимающих напряжений и легирования установлено, что качественно отличное поведение $\varepsilon(T)$ при ФП в несоизмеримую фазу при нормальном давлении обусловлено реальной кристаллической структурой исследованных образцов.