Остовно-валентные переходы в широкозонных ионных кристаллах

Обобщены и систематизированы данные о сравнительно недавно обнаруженных излучательных переходах между верхними заполненными зонами ионных кристаллов — остовно-валентных переходах (ОВП). Показано, как на основе параметров внешних заполненных оболочек ионов с учетом кристаллической структуры объекта оценить возможность регистрации в нем излучательных ОВП. Определены энергетические, размерные и структурные параметры, влияющие на характеристики излучения кристаллов. Описаны возможности управления спектральным составом и временем спада излучения.
Подробно рассмотрен механизм ОВП с точки зрения кластерной модели и модели энергетических зон. Описаны особенности высокоэнергетического возбуждения ОВП в кристаллах. Показано, что имеются проблемы в теоретическом и экспериментальном изучении рассматриваемых переходов. Определены перспективы дальнейших исследований и поиска эффективных «быстрых» люминофоров, обладающих ОВП.