Переход Мотта$-$Андерсона в слабо компенсированных полупроводниках $P$-типа

В модели сильной связи с двухцентровым приближением вычислена плотности состояний примесных дырок в зоне $\Gamma_{8}$. В качестве критерия перехода Мотта принято условие, при котором нижняя подзона Хаббарда начинает перекрываться с зоной проводимости. Получено алгебраическое уравнение для определения критической концентрации акцепторов, при которой происходит переход Мотта$-$Андерсона.