Рентгенографические исследования IN SITU деформируемых кристаллов LiF

С помощью синхротронного излучения ускорителя изучались внутренние напряжения и искажения кристаллической решетки в процессе деформирования кристаллов LiF, в которых предварительно были созданы участки с разным сопротивлением движению дислокаций. Показано, что максимальные внутренние напряжения возникают в момент прорыва наиболее сильных дислокационных стопоров. При дальнейшей деформации эти напряжения уменьшаются и дисперсия упругой деформации решетки определяется локальной неоднородностью распределения дислокаций.