Моделирование резонансных туннельных процессов в гетероструктуре, состоящей из двух квантовых ям

Сообщается о результатах численного моделирования процесса резонансного туннелирования в системе, состоящей из двух квантовых ям, разделенных барьером. В расчетах использованы параметры, характерные для гетероструктуры Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs.