Строение и электронная структура Si$-$H и N$-$H связей в $a$-SiN$_{x}:{}$H

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы строение и электронная структура Si$-$H и N$-$H связей в аморфном нитриде кремния ($a$-SiN$_{x}\!:\!{}$H). Определен заряд на атоме водорода в SiN$-$H связей ${Q^{\text{H}} =-0.35q}$. Установлено, что пики плотности состояний связующей $\sigma$-орбитали Si$-$H дефекта расположены при энергиях 1.5, 4 и 10 эВ ниже верха валентной зоны. Обсуждается деградация запоминающих свойств нитрида кремния, обусловленная в поляронной модели разрывом Si$-$H и N$-$H связей.