Термолюминесценция и отжиг дефектов в $\gamma$-облученном KTiOPO$_{4}$

Исследованы процессы отжига радиационных парамагнитных центров (РПЦ) и центров окраски (ЦО) в $\gamma$-облученных монокристаллах KTiOPO$_{4}$ методами термолюминесценции (ТЛ), термостимулированных токов (ТСТ), ЭПР-спектроскопии и спектрофотометрии. Установлено, что полный отжиг всех РПЦ и восстановление оптического пропускания кристаллов во всем диапазоне прозрачности происходят при 430 K. Радиационно-термическая обработка кристаллов, заключающаяся в чередовании циклов «облучение (до ${1\cdot 10^{4}}$ ГР) — отжиг (до 430 K)», приводит к полному подавлению ТЛ во всем интервале температур от 77 до 380 K. При этом не меняется ни природа центров захвата, ответственных за образование устойчивых выше 270 K РПЦ и ЦО, ни их количество. Неизменными при такой обработке остаются и центры люминесценции при $T_{\text{комн}}$ — матричные Ti$^{4+}$-центры. Показано, что пик ТЛ при ${330\pm2}$ K связан с отжигом дырочных РПЦ типа PO$_{4}^{2-}$-центров, а пик ТСТ при 360 K — с отжигом электронных Ti$^{3+}$ — РПЦ.