Аномальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика $-$ полупроводника Sn$_{2}$P$_{2}$Se$_{6}$

Путем измерений температурных зависимостей оптического двупреломления $\delta(\Delta n)(T)$ исследована неравновесность несоразмерной (НС) фазы в собственном сегнетоэлектрике Sn$_{2}$P$_{2}$Se$_{6}$, обладающем полупроводниковыми свойствами. Характерные проявления такой неравновесности — аномальный температурный гистерезис, переход от непрерывной зависимости к ступенчатой при низкой скорости изменения температуры, эффект термооптической памяти — подобны наблюдаемым в НС фазах диэлектрических кристаллов. Наряду с этим для Sn$_{2}$P$_{2}$Se$_{6}$ обнаружено существенное влияние подсветки на запись и стирание термооптической памяти. Предполагается, что в НС фазе полупроводника Sn$_{2}$P$_{2}$Se$_{6}$ важную роль играет квадратичное взаимодействие волны поляризации с подвижными дефектами. Эффективность такого взаимодействия заметно изменяется при изменении зарядового состояния дефектов путем освещения образца.