Аномальный фотоэмиссионный ток в контакте металл$-$полупроводник с микрорельефной поверхностью

Исследован аномальный фотоэмиссионный ток в контакте микрорельефная поверхность полупроводника$-$металл и предложена модель, объясняющая механизм его формирования. Она учитывает фотовозбуждение электронов из валентной зоны в пустые поверхностные электронные состояния границы раздела и последующее их туннелирование в металл через промежуточный слой. Проведено сопоставление теории тока аномальной внутренней фотоэмиссии с экспериментом, выполненным на структурах Au$-$GaAs с анизотропно-травленой поверхностью.