Аннотация:
Рассматривается метод определения зарядового состояния непарамагнитных дефектов в кремнии для дефектов, занимающих междоузельную позицию в кристаллической решетке и имеющих незаполненный остов, а также для парных дефектов, но с полностью заполненными остовными орбиталями. Обсуждается роль локальных эффектов в изменении положения маркирующего уровня в запрещенной зоне для дефектов, имеющих различное заполнение остовных орбиталей.