Дефекты с короткодействующим потенциалом в полупроводниках с тенденцией к автолокализации носителей заряда

Тенденция к автолокализации носителей заряда резко облегчает образование дискретных уровней в поле дельтаобразного притягивающего потенциала. В полярных кристаллах электрон-фононное взаимодействие даже при малых константах связи может в несколько раз уменьшить значение потенциала, в котором отщепляется уровень. В магнитных и сегнетоэлектрических полупроводниках отщепление уровней может происходить скачком.