Образование анионных вакансий при распаде термически возбужденных триплетных экситонов в кристалле KI

Методом времяразрешенной оптической спектроскопии изучена динамика создания и эволюции анионных вакансий ($\alpha$-центров окраски) в кристалле KI при облучении электронным пучком длительностью $10^{-8}$ с (${E=0.25}$ МэВ). В диапазоне температур 110$-$140 K обнаружено синхронное с релаксацией триплетных экситонов (STE) инерционное нарастание числа $a$-центров после прекращения облучения. На основе данных по сравнительному для $a$-центров и STE изучению температурных зависимостей выхода и скорости релаксационных процессов сделан вывод о реализации в кристалле KI механизма термоактивированного преобразования STE из наинизшего релаксированного ${}^{3}\Sigma^{+}_{u}$-состояния в пары пространственно разделенных $a$- и $I$-центров. Выход $a$-центров в расчете на один STE определен равным 0.3.