RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 1992, том 34, выпуск 10, страницы 3119–3124 (Mi ftt7763)

Влияние одноосного сжатия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn$_{2}$P$_{2}$S$_{6}$ и Sn$_{2}$P$_{2}$Se$_{6}$

Ю. М. Высочанский, С. И. Перечинский, И. П. Приц, В. М. Ризак, И. М. Ризак, А. А. Сейковская

Ужгородский государственный университет

Аннотация: Для собственных одноосных сегнетоэлектриков Sn$_{2}$P$_{2}$S$_{6}$ и Sn$_{2}$P$_{2}$Se$_{6}$ изучено влияние одноосного сжатия на температурные зависимости двупреломления и диэлектрической проницаемости. Сопоставлено влияние сжатия на сегнетоэлектрический фазовый переход (ФП) в Sn$_{2}$P$_{2}$S$_{6}$ и на ограничивающие несоразмерную (НС) фазу переходы в Sn$_{2}$P$_{2}$Se$_{6}$. Наблюдаемые барические скорости изменения температур ФП и интервала НС фазы согласуются с рассчитанными в приближении, учитывающем наличие наряду с точкой Лифшица и трикритической точки на диаграмме состояний исследованных кристаллов. Установлены изменение при замене серы на селен соотношения барических скоростей температур ФП для разных одноосных механических напряжений и слабая чувствительность НС фазы к сжатию вдоль оси модуляции структуры. Предположено, что эти проявления анизотропии связаны с особенностями линейного взаимодействия мягкой оптической и акустических фононных ветвей.

Поступила в редакцию: 10.09.1991
Исправленный вариант: 12.05.1992



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024