Аннотация:
Исследовано влияние одноосных напряжений сжатия, направленных вдоль трех кристаллографических осей, на диэлектрическую проницаемость $\varepsilon^{}_{XX}$, поляризацию $P_{X}$ и спонтанную поляризацию $P_{S}$ тиомочевины SC (NH$_{2}$)$_{2}$, в области сегнетоэлектрических фазовых переходов. Выявлена анизотропия изменения диэлектрических свойств кристалла при его одноосным сжатии. Показано, что все три напряжения эффективно смещают температуры фазовых переходов и существенно уменьшают значения $\varepsilon^{}_{XX}$, $P_{X}$ и $P_{S}$.