Особенности экситонных спектров люминесценции кристаллов $\gamma$-InSe, содержащих дефекты упаковки

Изучены рентгенограммы и низкотемпературные (${4.5\div40}$ K) спектры экситонного излучения (${{\mathbf E}\perp{\mathbf C}}$). Рентгенографическими исследованиями установлено наличие в InSe $\gamma$-модификации, а также областей дефектов упаковки типа двойникования, содержащих смесь $\gamma$ и $\xi$-модификаций. Оптические исследования позволили обнаружить и изучить особенности спектров экситонной люминесценции от областей, содержащих дефекты упаковки.