Магнетосопротивление микроконтактов на основе полупроводников типа A$^{4}$B$^{6}$

Проведены исследования сопротивления $R_{k}$ микроконтактов Au$-$Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se и Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$-$Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se ($x = 0.06$, $x = 0.23$) от величины магнитного поля $H$ и его ориентации относительно кристаллографических осей полупроводника при температуре 4.2 K. В сильных магнитных полях обнаружено удвоение частоты следования экстремумов на угловых зависимостях $R_{k}$. Делается вывод, что это явление обусловлено анизотропией продольного магнетосопротивления полупроводника и эффектом формирования анизотропного (вытянутого вдоль $\mathbf H$) распределения плотности тока в области микроконтакта.